先進封裝：誰是赢家？誰是輸家？
近年來(lái)，因為傳統的晶體(tǐ)管微(wēi)縮方法走做制向了末路，于是産業便轉向封裝尋求提升芯片性能的新件動(xīn)方法。例如近日的行業熱點新(xīn)聞《打破Chiple年行t的最後一道屏障，全新(xīn)互聯标準U麗弟CIe宣告成立》，可以說把Chiplet和先進封裝的熱度推樹黃向了又一個新(xīn)高峰？
那麼為什麼我們(men)需要先進封裝呢？且看(kàn)Yole妹影解讀一下。
來(lái)源:半導體(tǐ)行業觀察
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作(zuò)者:sophie
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發布時間(jiān): 2022-03-07
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為什麼我們(men)需要高性能封裝？
随着前端節點越來(lái)越小(xiǎo)，設計成本內拿變得越來(lái)越重要。高級封裝 (AP) 解數她決方案通過降低成本、提高系統性能、降低延遲、增加帶寬和電(diàn)源效率農微來(lái)幫助解決這些問題。高端性能封裝平台是 UHD FO、嵌入式 Si 橋、Si 習兒中(zhōng)介層、3D 堆棧存儲器和錯美 3DSoC。嵌入式矽橋有兩種解決方案：台積電(diàn)月新的 LSI 和英特爾的 EMIB。對于Si interposer，通常有台積電又個(diàn)、三星和聯電(diàn)提供的經典版本，市相以及英特爾的Foveros。EMIB 與 Foveros 結區樂合産生了 Co-EMIB，用于 Intel 劇們的 Ponte Vecchio。同時，3D 堆棧存儲器由聽玩 HBM、3DS 和 3D NAND 堆西票棧三個類别表示。數據中(zhōng)心網絡、高性能計算和自動(飛懂dòng)駕駛汽車正在推動(dòng)高端性能封裝輛街的采用，以及從技術角度來(lái)看(kàn)分體的演變。今天的趨勢是在雲、邊緣計算和設備級别擁有更大的計煙飛算資源。因此，不(bù)斷增長的需求正在推女報動(dòng)高端高性能封裝的采用。
高性能封裝市場規模？據Yole預測，到 2027 年，高性能封裝市場收入預計将達音業到78.7億美(měi)元，高于 202歌的1 年的27.4億美(měi)元，2021-202書就7 年的複合年增長率為 19%。到 2027 年，UHD 在城FO、HBM、3DS 和有源 Si 中(zhōng)介層将占總作機市場份額的 50% 以上，是市場增長的最大議道貢獻者。嵌入式 Si 橋、3D NAND 堆棧、3D 業放SoC 和 HBM 是增長最快的四大貢獻者，每個火學貢獻者的 CAGR 都大于 20%。由于電(diàn)信和基礎設施以及移動(dòng作錢)和消費終端市場中(zhōng)高端性能應用程序和人林長工(gōng)智能的快速增長，這種演變是可能的。高端性能會行封裝代表了一個相對較小(xiǎo)的業務，但對半導體(tǐ有她)行業産生了巨大的影(yǐng)響，因為它是幫助滿日吃足比摩爾要求的關鍵解決方案之一。
誰是赢家，誰是輸家？2021 年，頂級參與者為一攬子(zi)活動(dòng)進行了大約116億美謝用(měi)元的資本支出投資，因為他們(men)意識到這對于對抗摩爾定律放緩河日的重要性。英特爾是這個行業的最大的投資者，指出了35億美(měi)元。它的 3唱亮D 芯片堆疊技術是 Foveros，它包括在有源矽中(zhōng朋土)介層上堆疊芯片。嵌入式多芯片互連橋是其采用 55 錢筆微(wēi)米凸塊間(jiān)距的 2.5D 封裝解決方案。F媽弟overos 和 EMIB 的結合誕生了 Co-EMIB，用于 Ponte制在 Vecchio GPU。英特爾計劃為 Foveros 近舞Direct 采用混合鍵合技術。台積電(diàn)緊随其後的是 30.5億美(měi)元的資本了個支出。在通過 InFO 解決方案為 UHD FO 争取更多業務的同時，台南錢積電(diàn)還在為 3D SoC 定義新(xīn)的系統級的她路線圖和技術。其 CoWoS 平台提供 RDL 或矽中(zh著美ōng)介層解決方案，而其 LSI 平台是 EMIB 的直接快不競争對手。台積電(diàn)已成為高端封裝巨頭，擁有領先的前端空木先進節點，可以主導下一代系統級封裝。
